常圧 O3-TEOS CVD装置

製品名称

常圧 O3-TEOS CVD装置詳細情報

一般名称

CVD装置

製品バリエーション

APS−1220:12インチ用,2リアクタ,枚葉
APS−8200:8インチ用,2リアクタ,枚葉
APS−6130:6インチ(5インチ)用,1リアクタ,複数(2or3)枚

製品仕様

用途:半導体等のトレンチ埋め込み、メタル層間絶縁用酸化膜形成
膜種:NSG(TEOS,HMDSO),BPSG,PSG,BSG
対象基材:Si,GaAs,石英
反応部:常圧用ガス分散ヘッド上でのフェースダウン成膜
搬送:FOUP又はカセットの全自動枚葉式
処理能力:2リアクター構成で時間10−30枚(成膜条件による)


商品説明

高濃度オゾンを利用した常圧テオスCVD装置です。45nm先端プロセスに対応した高いプロセス性能と多くの実績を積んできた常圧装置構成による高い生産性が特徴です。また、自動クリーニング機構の採用等によりメンテナンス性を大幅に改善しました。

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