半導体の製造工程

BGとはバックグラインドの略である。半導体製造の後工程に位置し、前工程でウェハの表面に回路パターンが形成された後、裏側から薄く削っていく工程を指す。この工程で使用されるBGテープは必要欠くべからざる材料で、テープだけでなく、ワックスや接着材もある。近年、半導体プロセスの複雑化により、BGテープに耐熱性、耐薬品性など多くの要望がある。

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ICチップのパッケージ方式の1つ。電極（ピン）がパッケージ周囲にはみ出さず、製品の小型化に最適。半導体パッケージの外部接続端子をグリッド状に並べた形態をとり、ボール状の端子にははんだボールを使用する。ピンタイプにしたものはPGA（Pin Grid Array）と呼ばれる。

半導体チップとマザーボードをつなぐ半導体パッケージ基板の絶縁材料として使われ、微細配線形成に用いられるフィルム。 電子デバイスの配線微細化・高速通信化に伴い、伝送ロスを低く抑えることが求められる。また、デバイスの薄膜化に伴い、薄型化した基板の反りを抑える働きが求められる。

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チップを実装する基板アイランドや実装済CSP／BGA外周部等にシャープなダムを形成、チップボンディング時のダイアタッチペースト材の流動性制御やアンダーフィルの充填（フィリング）エリアを制御をすることを目的とする絶縁材料。成形性に優れており、PKGのそり低減を実現する高信頼性の材料。

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Fan Out（ファンアウト）とは、シリコンチップより大きな面積に配線を引き回すことである。この技術を用いたFOWLP（Fan Out Wafer Level Package）は従来の樹脂基板ではなく再配線層（RDL,Redistribution Layer）でチップ周辺のスペースに多数のI/O端子を配置することで配線密度を高めながら、パッケージの厚みを抑え、高性能かつ薄型化が実現できる。またその構造から複数のシリコンチップを搭載することも可能である。

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FC-BGAはバンプと呼ばれるボール状の端子を用いて、超薄型の基板上にチップを接合し、封止する高速LSI向け高密度半導体パッケージ基板。情報処理速度が速く放熱性に優れるており、パソコン・サーバー・ネットワーク等に使われている。

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ポリイミド等のベースフィルムに、銅箔等の導電性金属を貼り合わせた基材に電気回路を形成した基板。「フレキシブルプリント回路基板」とも呼ばれる。極めて薄く軽量で、リジッド基板の硬い板状と異なり柔軟性に優れ、折り曲げも可能なため、電子機器内で屈曲する部分や、立体的な配置、わずかな隙間にも配置が可能。小型軽量化・薄型化に伴い、スマートフォン・液晶テレビなど、あらゆる電子機器で採用されている。

GWSS(Glass Wafer Support System)とは、極薄化した半導体の搬送時の割れや欠け、極薄ウェハの反りといった課題を解決するために、積水化学が提案した仮固定材(Temporary Bonding De-Bonding material、TBDB material)である。GWSSの実現には、積水化学が独自に開発したUV照射で自己剥離する粘着テープ「SELFA™」が使用されている。仮固定用途の需要が多い最先端半導体向けに、高耐熱性や耐薬品性などの性能をさらに向上させるための研究開発が続けられている。

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High Bandwidth Memory とは、JEDECが規格化した、Through Silicon Via 技術によるダイスタッキングを前提としたメモリ規格。パソコンなどで使われる従来型のDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）よりも、一度に大きなデータをやり取りできるDRAM。従来型の10～100倍というデータ転送速度を生かせる、GPU（画像処理半導体）や、HPC（高性能コンピューティング）、AI（人工知能）の学習などで利用される。

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PoP（Package on Package）は半導体パッケージの上に別の半導体パッケージを積層する実装方法である。半導体パッケージを積層することで、限られた面積を最大限に有効活用でき、高機能化と小型薄型化を実現する技術となる。データのやり取りをしたいパッケージ同士を近接でき、より高速化できるというメリットもあり、近年急速に発展している。主にモバイルデバイスやコンシューマーエレクトロニクスで使われている。

TIM材（Thermal Interface Material）は熱伝導材料の一種で、電子デバイスが発生させる熱を効率良く冷却装置へと伝える役割を持つ。これにより、半導体デバイスの熱管理が可能となり、パフォーマンスと信頼性が維持される。

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TSV（Through Silicon Via、シリコン貫通電極）とは、シリコンインターポーザや半導体チップに形成され、貫通ビアを銅で充填し電極である。TSV構造を有することで、チップを積層し、実装面積と配線の最小化による小型化、高性能化や省電力化が可能となる。

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集積回路の封止に用いられる液状熱硬化性樹脂。電子基板と電子部品の接続部分であるハンダが衝撃や熱で割れないように保護する接着剤。耐衝撃性、リワーク性等が求められる。

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ウェハは、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板。

ダイシングは半導体製造の後工程に不可欠な重要工程である。回路形成されたウェハをチップサイズに1つ1つ切断、分離する工程である。ダイシング方法は、ブレード方式、レーザー方式やプラズマ方式がある。ブレード方式がよく使われているが、チップへの機械的ダメージ低減、微小チップへの対応、環境配慮の観点から、レーザー方式やプラズマ方式が選定されることがある。

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ドライエッチング（dry etching）とは、プラズマ生成したイオンや反応性ガスにより、不要な部分を物理的もしくは化学反応させて乾式で除去する方法である。一般的にドライエッチングは『反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching, RIE）』を指すことが多い。ドライエッチングは高精度の形状制御するができ、廃液処理がいらないため、多くの製造工程に使われている。

フィラーとは樹脂等の材料に様々な機能を付与することを目的として添加される充填材である。微細な粒子や粉体のことを指す。熱伝導や電気伝導など様々な機能を有するフィラーを樹脂に複合化させることで、フィラー複合材料としてスマートフォンから飛行機まで様々なところで利用されている。

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フラックス（Flux）は半導体製造におけるはんだ付けプロセスに使われている化学薬品である。金属表面にある酸化物や異物を除去し、はんだの濡れ性を改善する。近年、省プロセス化のニーズが高まる中、高性能フラックス材への注目も高まっている。

モールディング（Molding）とは熱硬化性樹脂などの材料を使用して、ボンディング工程後のチップを樹脂で包埋し、外部からの衝撃、温度変化、湿気などの影響から保護する半導体工程である。モールディングには、樹脂を射出し流し込むトランスファーモールドと、溶融した樹脂に浸し成型するコンプレッションモールドがある。