UV 박리 테이프 SELFA™
내열성과 박리기술을 이용한 새로운 반도체 공정의 실현 「SELFA™」
SELFA™?
SELFA™는 높은 접착력을 가지면서 간단한 박리를 가능하게한 우수한 테이프입니다.UV조사로 테이프와 피착체 사이에 가스가 발생하여, 밀착력을 제로로 만들어, 쉽게 떼어낼 수 있습니다.
얇게 연마된 웨이퍼 등도 데미지 없이 가공이 가능합니다.
SELFA™는 어떤 때에 사용되나요?
반도체 웨이퍼칩 제조에 주로 사용되는 SELFA™.현재는 패키지 제조, 웨이퍼 서포트, 도금 공정 등의 다양한 프로세스를 위해 3종류의 제품의 라인업을 가지고 있습니다.
단면, 양면 등 용도에 맞춰 제안드립니다.
SEKISUI Temporary Bonding and Debonding SELFA™
SELFA™의 핵심 기술
고내열성을 가진 임시 고정 재료를 찾고 있음
내열성
- 업계가 압도하는 260°C 내열 사양
- Reflow 등 새로운 공정에 적용
웨이퍼로의 데미지가 걱정
경박리
- 가스 발생 박리 기술에 의한
데미지리스 박리 - 초박형 디바이스에 적용
열 공정 후의 잔류물을 없에고 싶음
저잔류물
- PreUV 기술에 의한 찌꺼기 없음
- 폭넓은Process window
SELFA™의 박리기술
SELFA™의 박리 데모 동영상
섬세한 웨이퍼 표면을 손상시키지 않고 쉽게 떼어낼 수 는 타제품에는 없는 고도기술을 볼 수 있습니다.
2단계 UV조사
1PreUV 경화
기존의 UV테이프의 점착력은 열처리 중에 상승하고, UV후에도 그다지 저하되지 않기 때문에, 박리되기 어렵고, 잔류물의 문제도 발생하고 있었어요.
SELFA™는 Pre-UV로 점착층을 경화시키는 것으로 점착력을 대폭 저하, 열처리 중의 들뜸도 적은 것으로 박리가 용이해져, 잔류물의 감소를 실현했습니다.
2gas 발생
UV처리 중에 SELFA™와 글래스캐리어 사이에서 질소가스가 발생합니다. 가스 영역이 확장되어 결국 전체를 덮게 됩니다.
UV처리 후 글래스캐리어는 거의 힘을 쓰지 않고 간단하게 제거할 수 있습니다.
SELFA™와 액체재료의 프로세스 비교
SELFA™를 사용함으로써 접착· 박리 프로세스를 대폭 단축할 수 있습니다
전통적인
액체 재료
SELFA™
SELFA™ 라인업
양면 내열
SELFA™ HW Series
BG ~
Dicing process
- 뛰어난 내열성, 내약품성
- 가스 발생을 이용한 데미지 없는 박리
- 테이프 방식의 글래스 서포트를 이용하여 핸들링성 향상
SELFA™ 성능 비교표
| 제품/조건 | HW Series | HS Series | MP Series | |
|---|---|---|---|---|
| 내열성 | 260°C / Reflow | 250°C / Reflow | 80°C / 30min. | |
| 220°C / 2hr | 220°C / 2hr | |||
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접착 강도 (N /인치) 초기 → Pre UV |
웨이퍼측 | SUS: 10.5 → 0.01 | SUS: 3.83 → 0.08 | SUS: 17.5 → 0 |
| Si: 0.08 → 0.02 | Si: 0.06 → 0.02 | Si: 16.1 → 0 | ||
| - | Cu: 4.51 → 0.10 | Au: 13.5 → 0 | ||
| 캐리어 측 | Glass: 0.06 → <0.01 | - | - | |
활용 사례 및 적용프로세스
CMOS이미지센서
- 양면내열
SELFA™ HW
적층형 메모리
- 양면내열
SELFA™ HW - 단면내열
SELFA™ HS
통신 모듈
- 단면내열
SELFA™ HS
어플리케이션프로세서의 PoP
- 양면내열
SELFA™ HW - 단면내열
SELFA™ HS
부품내장기판
- 양면내열
SELFA™ HW - 단면내열
SELFA™ HS - 단면
SELFA™ MP
파워반도체
- 단면
SELFA™ MP
양면 내열 SELFA™ HW Series
특성：
- 내열성
- 내화학성
- 저잔류물
- 쉽게 벗겨지는
테이프 방식의 글래스 서포트 시스템을 실현하여, 생산성 향상에 공헌
프로세스
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평가 결과
Ⅰ．미러웨이퍼BG 후 TTV 평가
측정 방법
TTV 맵핑 결과
[평균] 두께 : 24.4 μm / TTV : 2.9 μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 당사의 독자적인 「 Pre-UV 기술 」로 업계 최고의 TTV 제어성을 제공합니다.
- <3μm@ 12"웨이퍼
Ⅱ．열처리 후 잔류물 평가 <오븐에 의한 박리 테스트>
체크 포인트 :
- 내열성
- 장비 및 조건
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- 메이커: ETAC
- 모델: CSO-603BF
- 온도: 180-220°C
- 시간: 1～2 시간
- 웨이퍼 샘플
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8inch Bump TEG Wafer
테스트 결과
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1 시간 |  |
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| 2 시간 |  |
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220°C 2시간의 열 스트레스 후, 패턴화된 TEG 웨이퍼 상에 잔류물은 보이지 않았습니다.
단면 내열 SELFA™ HS Series
특성：
- 내열성
- 내화학성
- 저잔류물
리플로우, CVD, 스퍼터 등의 열공정 시에 디바이스를 서포트, 보호합니다.
프로세스
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내열성 테스트 (보이드)
핫플레이트 평가
- 샘플
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- 장비 · 조건
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- 메이커: NINOS
- 모델: ND-3H
- 온도: 180-250°C
- 시간: 30-180분
테스트 결과
가열 후의 박리성
| 30분 | 60분 | 120분 | 180분 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 상기 데이터는 측정치이며, 보증치는 아닙니다.
가열 후 접착 강도
가열 후 웨이퍼 상태
핫 플레이트 평가로 열처리 중의 보이드 발생이 없고, 박리시에는 잔류물이 최대 220°C/180분까지 발생하지 않는 것을 확인했습니다.
단면자기박리
SELFA™ MP Series
특성：
- 쉽게 벗겨지는
도금 공정시의 웨이퍼 이면 보호용 테이프입니다. UV 조사에 의해 가스가 발생하는 것으로, 피착체로부터 박리할 수 있습니다.
무전해 도금 처리 시의 웨이퍼 보호 공정(무전해 도금 방법)
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도금 공정의 강산·강 알칼리에의 내성이 뛰어나, 웨이퍼를 보호한 후에는, 저응력으로의 박리가 가능합니다
보이드와 잔류물 결과
체크 포인트：
- 경박리
Au 도금 후의 웨이퍼
보이드, 엣지부분의 박리 없음
유기잔류물 검사@8'웨이퍼
SELFA™ MP는 박리 후 잔류물이 관찰되지 않았습니다.
양면SELFA™ 프로세스자 동화
완전 자동화 프로세스에 대응하여 생산성 향상·환경 부하 저감에 공헌
장비업체와의 제휴에 의해, 완전 자동화 라인의 구축이 가능. 대폭적인 생산성 향상과 환경 부하 저감을 실현할 수 있습니다.
장비 소개
- ①웨이퍼 본딩 장치
- Takatori Corporation
WSM-200B
- ②웨이퍼 디본딩 장치
- Takatori Corporation
WSR-200
SELFA™재사용대응
기존 제품의 2배의 재사용으로 지속 가능한 발전목표(SDGs)에 공헌
캐리어글래스 재이용
SELFA™를 사용함으로 캐리어글래스의 움푹 패임이 없어, 재활용에도 뛰어납니다.
| SELFA™ | 액체 | |
| 재사용 횟수 | 20회 이상 | 10회 이상 |
| 스트립핑 방식 | UV램프 UV레이저 |
각종 레이저 |
| 재사용 방법 | 주로 용제 세정 | 용제 세정, 연마 등 |
| 레이저 절제시 유리의 함몰 |
없음 |
있음 |
| 효과 |  UV박리에 의한 데미지 경감 |
 레이저 박리에 의한 데미지 있음 |