UV 박리 테이프 SELFA™

내열성과 박리기술을 이용한 새로운 반도체 공정의 실현 「SELFA™」

SELFA™?

SELFA™는 높은 접착력을 가지면서 간단한 박리를 가능하게한 우수한 테이프입니다.UV조사로 테이프와 피착체 사이에 가스가 발생하여, 밀착력을 제로로 만들어, 쉽게 떼어낼 수 있습니다.

Point!

얇게 연마된 웨이퍼 등도 데미지 없이 가공이 가능합니다.

SELFA™

SELFA™는 어떤 때에 사용되나요?

반도체 웨이퍼칩 제조에 주로 사용되는 SELFA™.현재는 패키지 제조, 웨이퍼 서포트, 도금 공정 등의 다양한 프로세스를 위해 3종류의 제품의 라인업을 가지고 있습니다.

Point!

단면, 양면 등 용도에 맞춰 제안드립니다.

SELFA™의 라인업
SEKISUI Temporary Bonding and Debonding SELFA™

SELFA™의 핵심 기술

고내열성을 가진 임시 고정 재료를 찾고 있음

화살
내열성

내열성

  • 업계가 압도하는 260°C 내열 사양
  • Reflow 등 새로운 공정에 적용

웨이퍼로의 데미지가 걱정

화살
경박리

경박리

  • 가스 발생 박리 기술에 의한
    데미지리스 박리
  • 초박형 디바이스에 적용

열 공정 후의 잔류물을 없에고 싶음

화살
Low Residue

저잔류물

  • PreUV 기술에 의한 찌꺼기 없음
  • 폭넓은Process window

SELFA™의 박리기술

SELFA™의 박리 데모 동영상

섬세한 웨이퍼 표면을 손상시키지 않고 쉽게 떼어낼 수 는 타제품에는 없는 고도기술을 볼 수 있습니다.

2단계 UV조사

1PreUV 경화
PreUV 경화

기존의 UV테이프의 점착력은 열처리 중에 상승하고, UV후에도 그다지 저하되지 않기 때문에, 박리되기 어렵고, 잔류물의 문제도 발생하고 있었어요.

SELFA™는 Pre-UV로 점착층을 경화시키는 것으로 점착력을 대폭 저하, 열처리 중의 들뜸도 적은 것으로 박리가 용이해져, 잔류물의 감소를 실현했습니다.

2gas 발생
gas 발생

UV처리 중에 SELFA™와 글래스캐리어 사이에서 질소가스가 발생합니다. 가스 영역이 확장되어 결국 전체를 덮게 됩니다.

UV처리 후 글래스캐리어는 거의 힘을 쓰지 않고 간단하게 제거할 수 있습니다.

SELFA™와 액체재료의 프로세스 비교

SELFA™를 사용함으로써 접착· 박리 프로세스를 대폭 단축할 수 있습니다

프로세스

SELFA™

SELFA™ : 접착
SELFA™ : 본딩
SELFA™ : 디본딩
SELFA™ : 박리

제품개발 스토리SEKISUIProduct Development Story

“접착과 박리”의 혁신적 기술로
반도체 프로세스의 진화를 지탱해 나가는 SELFA™

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소 전 소장
(2019년에 정년 퇴직)
현 사이언스 랩(Science Lab)
이시즈에(礎) 대표

나카스가 아키라

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소
일렉트로닉스 재료개발센터
주임기술원

다카하시 도시오

SELFA™ 라인업

양면 내열
SELFA™ HW Series

BG ~
Dicing process

양면내열 SELFA™ HW Series
  • 뛰어난 내열성, 내약품성
  • 가스 발생을 이용한 데미지 없는 박리
  • 테이프 방식의 글래스 서포트를 이용하여 핸들링성 향상
제품 상세

단면 내열
SELFA™ HS Series

약품 공정시에 디바이스 보호
열공정시의 휨 억제

단면내열 SELFA™ HS Series
  • 뛰어난 내열성, 내약품성
  • 강점착 + 저잔류물 양립 실현
제품 상세

단면자기박리
SELFA™ MP Series

도금 공정시의 디바이스 보호

단면자기박리 SELFA™ MP Series
  • UV 자가 박리 기능을 이용하여 도금 후에도 간단하게 박리할 수 있습니다.
제품 상세

SELFA™ 성능 비교표

제품/조건 HW Series HS Series MP Series
내열성 260°C / Reflow 250°C / Reflow 80°C / 30min.
220°C / 2hr 220°C / 2hr
접착 강도 (N /인치)
초기 → Pre UV
웨이퍼측 SUS: 10.50.01 SUS: 3.830.08 SUS: 17.50
Si: 0.080.02 Si: 0.060.02 Si: 16.10
- Cu: 4.510.10 Au: 13.50
캐리어 측 Glass: 0.06<0.01 - -

활용 사례 및 적용프로세스

CMOS이미지센서

CMOS이미지센서

  • 양면내열
    SELFA™ HW
적층형 메모리

적층형 메모리

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
통신 모듈

통신 모듈

  • 단면내열
    SELFA™ HS
어플리케이션프로세서의 PoP

어플리케이션프로세서의 PoP

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
부품내장기판

부품내장기판

  • 양면내열
    SELFA™ HW
  • 단면내열
    SELFA™ HS
  • 단면
    SELFA™ MP
파워반도체

파워반도체

  • 단면
    SELFA™ MP

양면 내열 SELFA™ HW Series

특성:

  • 내열성
  • 내화학성
  • 저잔류물
  • 쉽게 벗겨지는

테이프 방식의 글래스 서포트 시스템을 실현하여, 생산성 향상에 공헌

양면내열 SELFA™ HW Series

프로세스

  • 라미네이션
    라미네이션
  • 본딩
    본딩
  • Pre UV 조사
    Pre UV 조사
  • BG
    BG
  • 열처리
    열처리
  • 다이싱 테이프
    다이싱 테이프
  • Post UV조사 & DB
    Post UV조사 & DB
  • 테이프 박리
    테이프 박리

평가 결과

Ⅰ.미러웨이퍼BG 후 TTV 평가

측정 방법
  • 측정 방법_1
  • 측정 방법_2
  • 측정 방법_3
TTV 맵핑 결과

[평균] 두께 : 24.4 μm / TTV : 2.9 μm

n=1 n=2 n=3 n=4 n=5
TTV 맵핑 결과 n=1 TTV 맵핑 결과 n=2 TTV 맵핑 결과 n=3 TTV 맵핑 결과 n=4 TTV 맵핑 결과 n=5
Thk:25.1μm
TTV:3.4μm
Thk:24.5μm
TTV:2.8μm
Thk:24.7μm
TTV:2.9μm
Thk:24.3μm
TTV:2.7μm
Thk:23.4μm
TTV:2.9μm
  • 당사의 독자적인 「 Pre-UV 기술 」로 업계 최고의 TTV 제어성을 제공합니다.
  • <3μm@ 12"웨이퍼

Ⅱ.열처리 후 잔류물 평가 <오븐에 의한 박리 테스트>

체크 포인트 :

  • 내열성
장비 및 조건
  • 메이커: ETAC
  • 모델: CSO-603BF
  • 온도: 180-220°C
  • 시간: 1~2 시간
장비 및 조건
웨이퍼 샘플
  • 웨이퍼 샘플
  • TEG 웨이퍼 샘플

8inch Bump TEG Wafer

웨이퍼 샘플
테스트 결과
180°C 200°C 220°C
1 시간 TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 180°C1hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 200°C1hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 220°C1hr
2 시간 TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 180°C2hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 200°C2hr TEG 웨이퍼 열처리 후 잔류 평가. 220°C2hr

220°C 2시간의 열 스트레스 후, 패턴화된 TEG 웨이퍼 상에 잔류물은 보이지 않았습니다.

단면 내열 SELFA™ HS Series

특성:

  • 내열성
  • 내화학성
  • 저잔류물

리플로우, CVD, 스퍼터 등의 열공정 시에 디바이스를 서포트, 보호합니다.

단면내열 SELFA™ HS Series

프로세스

  • 라미네이션
    라미네이션
  • Pre UV
    Pre UV
  • BG
    BG
  • 수송
    수송
  • 열처리 프로세스
    열처리 프로세스
  • De-Taping
    De-Taping

내열성 테스트 (보이드)

핫플레이트 평가

샘플
핫플레이트 평가 : 샘플
장비 · 조건
핫플레이트 평가 : 장비 · 조건
  • 메이커: NINOS
  • 모델: ND-3H
  • 온도: 180-250°C
  • 시간: 30-180분

테스트 결과

가열 후의 박리성
30분 60분 120분 180분
180°C OK OK OK OK
220°C OK OK OK OK
250°C OK OK OK OK
  • 상기 데이터는 측정치이며, 보증치는 아닙니다.
가열 후 접착 강도
핫플레이트 평가 : 가열 후 접착 강도
가열 후 웨이퍼 상태
가열 후 웨이퍼 상태

핫 플레이트 평가로 열처리 중의 보이드 발생이 없고, 박리시에는 잔류물이 최대 220°C/180분까지 발생하지 않는 것을 확인했습니다.

단면자기박리
SELFA™ MP Series

특성:

  • 쉽게 벗겨지는

도금 공정시의 웨이퍼 이면 보호용 테이프입니다. UV 조사에 의해 가스가 발생하는 것으로, 피착체로부터 박리할 수 있습니다.

단면자기박리 SELFA™ MP Series

무전해 도금 처리 시의 웨이퍼 보호 공정(무전해 도금 방법)

  • 테이프 라미네이션
    테이프 라미네이션
  • 산, 알칼리 도금 공정
    산, 알칼리 도금 공정
  • UV조사
    UV조사
  • 박리 후
    박리 후

도금 공정의 강산·강 알칼리에의 내성이 뛰어나, 웨이퍼를 보호한 후에는, 저응력으로의 박리가 가능합니다

보이드와 잔류물 결과

체크 포인트:

  • 경박리

Au 도금 후의 웨이퍼

Au 도금 후의 웨이퍼

보이드, 엣지부분의 박리 없음

유기잔류물 검사@8'웨이퍼

유기잔류물 검사@8'웨이퍼

SELFA™ MP는 박리 후 잔류물이 관찰되지 않았습니다.

양면SELFA™ 프로세스자 동화

완전 자동화 프로세스에 대응하여 생산성 향상·환경 부하 저감에 공헌

장비업체와의 제휴에 의해, 완전 자동화 라인의 구축이 가능. 대폭적인 생산성 향상과 환경 부하 저감을 실현할 수 있습니다.

장비 소개

웨이퍼 본딩 장치
①웨이퍼 본딩 장치
Takatori Corporation
WSM-200B
웨이퍼 디본딩 장치
②웨이퍼 디본딩 장치
Takatori Corporation
WSR-200

SELFA™재사용대응

기존 제품의 2배의 재사용으로 지속 가능한 발전목표(SDGs)에 공헌

캐리어글래스 재이용

SELFA™를 사용함으로 캐리어글래스의 움푹 패임이 없어, 재활용에도 뛰어납니다.

SELFA™ 액체
재사용 횟수 20회 이상 10회 이상
스트립핑 방식 UV램프
UV레이저
각종 레이저
재사용 방법 주로 용제 세정 용제 세정, 연마 등
레이저 절제시
유리의 함몰
없음SELFA™ : 레이저 절제시 유리의 함몰 있음액체 : 레이저 절제시 유리의 함몰
효과 SELFA™를 통한 캐리어 글라스의 재사용 효과
UV박리에 의한 데미지 경감
액체를 통한 캐리어 글라스의 재사용 효과
레이저 박리에 의한 데미지 있음

제품개발 스토리SEKISUIProduct Development Story

“접착과 박리”의 혁신적 기술로
반도체 프로세스의 진화를 지탱해 나가는 SELFA™

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소 전 소장
(2019년에 정년 퇴직)
현 사이언스 랩(Science Lab)
이시즈에(礎) 대표

나카스가 아키라

고기능 플라스틱 컴퍼니 개발연구소
일렉트로닉스 재료개발센터
주임기술원

다카하시 도시오