UV剝離膠帶 SELFA™
憑藉高耐熱性及特殊剝離技術實現嶄新的半導體製程「SELFA™」
什麼是SELFA™?
SELFA™是一種優秀的膠帶，具有高黏合性，並且可以輕鬆剝離。透過UV照射，膠帶與被貼物之間會產生氣體，使黏合力降為零，可輕鬆剝離。
研磨得很薄的晶圓等也可以進行加工且不會造成損傷。
什麼時候使用SELFA™?
主要在半導體晶圓加工、晶片製造等製程會用到SELFA™。目前，我們有三種系列，分別適用於封裝、晶圓支撐、電鍍等各種製程。
根據具體用途，有單面、雙面兩種形態以供選擇。
【SEKISUI】半導體製程暫時固定UV膠帶 「SELFA™」
SELFA™核心技術
我在找高耐熱的暫時固定材料
耐熱性
- 業界壓倒性的260°C耐熱性能
- 適用於回焊等製程
擔心對晶圓產生損傷
輕剝離
- 透過產生氣體實現無損剝離
- 適用於超薄產品
我想消除熱製程中的殘膠
低殘膠
- 以Pre UV技術實現無殘膠剝離
- 更有彈性的製程條件
SELFA™剝離技術
SELFA™剝離示範影片
請觀賞其他公司所沒有的，可從纖細的晶圓表面實現輕鬆剝離的先進技術展示。
分段式UV照射
1Pre UV固化
傳統的UV膠帶在熱製程中黏合強度會上升，並且在照射UV後也不會下降太多，導致其不易剝離，且多會存在殘膠問題。
而SELFA™是先照射Pre UV使膠層固化，黏合強度顯著降低，並且在之後的熱製程中黏合力的上升幅度也非常小，因而更容易剝離，且大幅度減少了殘膠問題。
2產生氣體
在照射Post UV的過程中，SELFA™ 和玻璃Carrier之間會產生氮氣。所產生氣體的面積會不斷擴大，最後擴散到整面晶圓範圍。
經過Post UV照射後，只需微乎其微的力量便可輕鬆地將玻璃Carrier分離開來。
SELFA™與液體材料的製程對比
透過使用SELFA™，可以大幅縮短貼合、剝離等製程的所需時間。
傳統液體
材料
SELFA™
高機能塑料事業領域開發研究所
前所長
（2019年退休）
Science Lab. Ishizue現任代表
中壽賀 章
高機能塑料事業領域
開發研究所
電子材料開發中心
主任技術員
高橋 俊夫
SELFA™商品陣容
SELFA™規格表
| 產品/條件 | 雙面耐熱 SELFA™ HW系列 | 單面耐熱 SELFA™ HS系列 | 單面自剝離 SELFA™ MP系列 | |
|---|---|---|---|---|
| 耐熱性 | 260°C / Reflow | 250°C / Reflow | 80°C / 30min. | |
| 220°C / 2hr | 220°C / 2hr | |||
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黏合強度 (N/英吋) Pre UV前 → 後 |
晶圓面 | SUS: 10.5 → 0.01 | SUS: 3.83 → 0.08 | SUS: 17.5 → 0 |
| Si: 0.08 → 0.02 | Si: 0.06 → 0.02 | Si: 16.1 → 0 | ||
| - | Cu: 4.51 → 0.10 | Au: 13.5 → 0 | ||
| 玻璃面 | Glass: 0.06 → <0.01 | - | - | |
使用案例和應用
CMOS影像感測器
- 雙面耐熱
SELFA™ HW
層疊型記憶體
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS
通訊模組
- 單面耐熱
SELFA™ HS
應用處理器
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS
內建元件基板
- 雙面耐熱
SELFA™ HW - 單面耐熱
SELFA™ HS - 單面自剝離
SELFA™ MP
功率半導體
- 單面自剝離
SELFA™ MP
雙面耐熱 SELFA™HW系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
- 輕剝離
實現膠帶式暫時固定製程，提升生產性
製程
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測試結果
Ⅰ．晶圓研磨後的TTV測試
測試方法
TTV分佈
【平均】厚度:24.4μm/TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 透過本公司獨有的「Pre UV技術」提供業界最高水準的TTV控制性能。
- <3μm@12”晶圓
Ⅱ．熱製程後的殘膠測試<烤箱加熱測試>
要點:
- 耐熱性
- 設備和條件
-
- 製造商: ETAC
- 型號: CSO-603BF
- 溫度: 180-220°C
- 時長: 1~2小時
- 晶圓樣本
-
8inch Bump TEG Wafer
結果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1小時 |  |
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| 2小時 |  |
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在220°C下加熱2小時並剝離後，TEG晶圓上未發現殘膠。
單面耐熱 SELFA™HS系列
特徵：
- 耐熱性
- 抗藥性
- 低殘膠
在回流、CVD 和濺鍍等熱處理過程中支撐和保護產品。
製程
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耐熱性測試 (氣泡)
加熱板測試
- 樣本
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- 設備・條件
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- 製造商: NINOS
- 型號: ND-3H
- 溫度: 180-250°C
- 時長: 30-180分鐘
測試結果
加熱相應時間後的剝離性能
| 30分鐘 | 60分鐘 | 120分鐘 | 180分鐘 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 以上數據為實測值，非保證值。
加熱後的接著強度
加熱後的晶圓狀態
加熱板測試結果證實，在熱製程中並沒有出現氣泡，且在220°C/180分鐘後的剝離過程中沒有殘膠產生。
單面自剝離SELFA™MP系列
特徵：
- 輕剝離
用於在電鍍過程中保護晶圓背面。 UV照射會使其產生氣體，可輕鬆從被黏物上剝離。
無電解電鍍製程中的晶圓保護技術(無電解電鍍法)
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在電鍍過程中具有優異的耐強酸、耐強鹼性能，保護晶圓，並且可以輕鬆剝離。
氣泡和殘膠測試結果
要點：
- 輕剝離
鍍Au晶圓
沒有氣泡，邊緣沒有剝離
有機殘留物檢測@8”晶圓
將SELFA™ MP剝離後，未觀察到殘膠
使用雙面SELFA™實現製程自動化
使用SELFA™實現流程自動化，保持環境清潔
在使用SELFA™的過程中，從貼合到剝離可實現完全自動化。為提高生產效率做出貢獻。
設備介紹
- ①晶圓貼合設備
- Takatori Corporation
WSM-200B
- ②晶圓剝離(Debond)設備
- Takatori Corporation
WSR-200
玻璃Carrier可重複使用
再利用能力是以往製程的2倍，更有利於SDGs
玻璃Carrier的再利用
使用SELFA™，玻璃表面不會發生損傷，更有利於回收再利用。
| SELFA™ | 液體 | |
| 再利用次數 | 20次以上 | 10次以上 |
| 剝離(Debond)方法 | UV燈 UV雷射 |
各種雷射 |
| 再利用方法 | 主要是溶劑清洗 | 溶劑清洗、研磨等 |
| UV製程中的玻璃損傷 | 無 |
有 |
| 效果 |  整面UV照射，不會損傷玻璃或產品 |
 雷射照射，玻璃表面會累積傷痕 |
高機能塑料事業領域開發研究所
前所長
（2019年退休）
Science Lab. Ishizue現任代表
中壽賀 章
高機能塑料事業領域
開發研究所
電子材料開發中心
主任技術員
高橋 俊夫