常圧 Ｏ3-ＴＥＯＳ ＣＶＤ装置
製品概要
- 製品名称
-
常圧 Ｏ3-ＴＥＯＳ ＣＶＤ装置
- 一般名称
- ＣＶＤ装置
- 製品バリエーション
- ＡＰＳ−１２２０：１２インチ用，２リアクタ，枚葉
ＡＰＳ−８２００：８インチ用，２リアクタ，枚葉
ＡＰＳ−６１３０：６インチ(５インチ)用，１リアクタ，複数(２or３)枚
- 製品仕様
- 用途：半導体等のトレンチ埋め込み、メタル層間絶縁用酸化膜形成
膜種：ＮＳＧ(TEOS，HMDSO)，ＢＰＳＧ，ＰＳＧ，ＢＳＧ
対象基材：Ｓｉ，ＧａＡｓ，石英
反応部：常圧用ガス分散ヘッド上でのフェースダウン成膜
搬送：ＦＯＵＰ又はカセットの全自動枚葉式
処理能力：２リアクター構成で時間１０−３０枚(成膜条件による)
製品説明
高濃度オゾンを利用した常圧テオスＣＶＤ装置です。４５ｎｍ先端プロセスに対応した高いプロセス性能と多くの実績を積んできた常圧装置構成による高い生産性が特徴です。また、自動クリーニング機構の採用等によりメンテナンス性を大幅に改善しました。
※問い合わせページへ移動します
この製品を統括する事業部門
- 新事業開発部 プラズマ事業創出グループ この部門のページへ